کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10642316 | 997647 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Visible photoluminescence from Ge quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Spectroscopic analyses on stacked Ge quantum dots (QDs) on Si (1Â 0Â 0) substrates are presented. Strong and visible photoluminescence around 620Â nm from stacked Ge QDs is observed. The luminescence is intense and clearly visible to the naked eye at both room temperature and low temperature. We have investigated the temperature dependence of the luminescence, as well as the composition of Ge dots via transmission electron microscopy and the Raman spectroscopy. Possible causes of the visible luminescence are also speculated in this report.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 28, Issue 4, September 2005, Pages 525-530
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 28, Issue 4, September 2005, Pages 525-530
نویسندگان
K.W. Sun, S.H. Sue, C.W. Liu,