کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10656274 | 1005481 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modification of optical and electrical properties of sol-gel-derived TiO2-doped ZrO2 gate dielectrics by annealing temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Annealing temperature dependent electrical properties of sol-gel-derived ZrTiOx gate dielectrics were symmetrically investigated. It can be concluded that 300 °C-annealed ZrTiOx MOS capacitor with high dielectric constant of 34.9, a small hysteresis value of 0.004 and low leakage current density of 2.7 Ã 10â4 A/cm2 were obtained. The dominant conduction mechanisms of MOS structures were also determined.160
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 688, Part B, 15 December 2016, Pages 252-259
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 688, Part B, 15 December 2016, Pages 252-259
نویسندگان
D.Q. Xiao, G. He, M. Liu, J. Gao, P. Jin, S.S. Jiang, W.D. Li, M. Zhang, Y.M. Liu, J.G. Lv, Z.Q. Sun,