کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707203 | 1023644 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band gap engineering with sub-monolayer nitrogen insertion into InGaAs/GaAs quantum well
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigate the band gap engineering with sub-monolayer nitrogen introduction (: N δ-doping) at the middle of InGaAs/GaAs quantum well. Using plasma-assisted molecular beam epitaxy, we prepare samples varying the introduced nitrogen between 0 and 0.4 monolayer. The growths are carried out at substrate temperature of 520âC, comparatively higher than conventional substrate temperature for dilute nitride compounds. This induces the roughening of the growth front, slightly enhancing the nitrogen incorporation within the crystal. The as-grown and annealed samples show clear room temperature photoluminescence, indicating the band gap shrinkage depending on the amount of nitrogen.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 30-34
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 30-34
نویسندگان
Fumitaro Ishikawa, Masato Morifuji, Kenichi Nagahara, Masayuki Uchiyama, Kotaro Higashi, Masahiko Kondow,