کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707224 | 1023644 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of cubic GaN on nano-patterned 3C-SiC/Si (0Â 0Â 1) substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Non-polar relaxed cubic GaN was grown by molecular beam epitaxy (MBE) on nano-patterned 3C-SiC/Si (0Â 0Â 1) substrates with negligible hexagonal content and less defect density than in planar cubic GaN layers. Nano-patterning of 3C-SiC/Si (0Â 0Â 1) is achieved by self-ordered colloidal masks for the first time. The method presented here offers the possibility to create nano-patterned cubic GaN without the need for a GaN etching process and thus is a potential alternative to the conventional top-down fabrication techniques.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 84-87
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 84-87
نویسندگان
R.M. Kemper, M. Weinl, C. Mietze, M. Häberlen, T. Schupp, E. Tschumak, J.K.N. Lindner, K. Lischka, D.J. As,