کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707273 | 1023644 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Composition uniformity of site-controlled InAs/GaAs quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have studied the composition profiles of Stranski-Krastanov InAs/GaAs quantum dots grown on patterned nanohole arrays. Two dimensional surface chemical maps obtained by X-ray photoemission electron microscopy reveal a non-uniform composition profile similar to that of standard dots grown on planar surfaces, with an enhanced In concentration at the center of the islands, with respect to the wetting layer. A statistical analysis, however, revealed an improvement of about 50% of dot composition uniformity associated with the already reported enhancement of size uniformity. No significant size or composition variation was found by changing the period of the hole pattern from 250 to 600Â nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 176-179
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 323, Issue 1, 15 May 2011, Pages 176-179
نویسندگان
G. Biasiol, V. Baranwal, S. Heun, M. Prasciolu, M. Tormen, A. Locatelli, T.O. Mentes, M.A. Niño, L. Sorba,