کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10707490 | 1023647 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of the stacking faults in a-plane GaN on r-plane sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Study of the stacking faults in a-plane GaN on r-plane sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition Study of the stacking faults in a-plane GaN on r-plane sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition](/preview/png/10707490.png)
چکیده انگلیسی
Optically specular a-plane GaN was grown on r-sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). Surface morphology and crystal structure anisotropic behavior related to defects with a specific distribution were characterized by X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM). Cathodoluminescence (CL) images and depth-profiling spectra show Basel stacking faults (BSFs) related emission at 3.42Â eV, yellow band emission at 2.25 and 3.00Â eV emission bands of the a-plane GaN. From the results of CL and transmission electron microscopy (TEM), the origin of the blue emission band was attributed to donor-acceptor pair (DAP) emission correlated with prismatic stacking faults (PSFs).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 318, Issue 1, 1 March 2011, Pages 423-426
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 318, Issue 1, 1 March 2011, Pages 423-426
نویسندگان
H. Fang, L.W. Sang, W.X. Zhu, H. Long, T.J. Yu, Z.J. Yang, G.Y. Zhang,