| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 11031534 | 1645971 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Wet etching of TiN in 1-D and 2-D confined nano-spaces of FinFET transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 200, 15 November 2018, Pages 56-61
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 200, 15 November 2018, Pages 56-61
نویسندگان
Guy Vereecke, Hanne De Coster, Senne Van Alphen, Patrick Carolan, Hugo Bender, Kherim Willems, Lars-Ã
ke Ragnarsson, Pol Van Dorpe, Naoto Horiguchi, Frank Holsteyns,