کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1445915 | 1509611 | 2014 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical investigation of Cottrell atmosphere in silicon
ترجمه فارسی عنوان
بررسی نظری جو کوتل در سیلیکون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سیلیکون، جابجایی، جداسازی، فضای کوتل، شبیه سازی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
The distribution of fast-diffusing interstitial impurities (Ni, Cu, etc.) in the vicinity of a dislocation loop in Si bulk is theoretically investigated, at the atomic scale, using the Si Stillinger–Weber potential via Monte Carlo and kinetic Monte Carlo simulations. The Si dislocation loop is modeled by an extra Si plane introduced between two Si(1 1 1) planes. Interstitial impurities are shown to gather on the dislocation loop edges only, in interstitial sites of minimum pressure. These results are in agreement with experimental atom probe tomography observations related to Ni accumulation on Si dislocation loops, and can be interpreted as a Cottrell atmosphere.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Acta Materialia - Volume 65, 15 February 2014, Pages 1–9
Journal: Acta Materialia - Volume 65, 15 February 2014, Pages 1–9
نویسندگان
A. Portavoce, G. Tréglia,