کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1446192 | 988601 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The feasibility of tunable p-type Mg doping in a GaN monolayer nanosheet
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: The feasibility of tunable p-type Mg doping in a GaN monolayer nanosheet The feasibility of tunable p-type Mg doping in a GaN monolayer nanosheet](/preview/png/1446192.png)
چکیده انگلیسی
Based on density functional theory, the electronic structures, formation energy and transition energy level of a p-type Mg-doped GaN nanosheet are investigated. Numerical results show that the transition energy level decreases monotonously with increasing Mg doping concentration in Mg-doped GaN nanosheet systems, which is lower than that of the Mg-doped bulk GaN case. Moreover, the formation energy calculations indicate that Mg-doped GaN nanosheet structures can be realized under N-rich experimental growth conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Acta Materialia - Volume 61, Issue 20, December 2013, Pages 7720–7725
Journal: Acta Materialia - Volume 61, Issue 20, December 2013, Pages 7720–7725
نویسندگان
Congxin Xia, Yuting Peng, Shuyi Wei, Yu Jia,