کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1447497 | 988647 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and compositional homogeneity of InAlN epitaxial layers nearly lattice-matched to GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A group of InAlN films was fabricated by molecular beam epitaxy and investigated by X-ray diffraction, transmission electron microscopy and element nano-analyses. All top InxAl1−xN layers have compositions around lateral lattice-matching to GaN (x ≈ 0.18) and are pseudomorphic. For a growth rate of 350 nm h−1, each InAlN film separated into two sublayers with different In/Al-ratios. Micrographs reveal sharp transitions both at the InAlN/GaN and at the InAlN/InAlN interfaces. In contrast to these separated layers, an optimized epitaxy using an AlN interlayer and a lower growth rate, 100 nm h−1, enabled the fabrication of a single-phase InxAl1−xN layer on GaN, homogeneous on a nanoscopic scale.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Acta Materialia - Volume 58, Issue 12, July 2010, Pages 4120–4125
Journal: Acta Materialia - Volume 58, Issue 12, July 2010, Pages 4120–4125
نویسندگان
J.M. Mánuel, F.M. Morales, J.G. Lozano, D. González, R. García, T. Lim, L. Kirste, R. Aidam, O. Ambacher,