کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1543609 | 1512867 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reprint of : Scattering approach to scanning gate microscopy
ترجمه فارسی عنوان
چاپ مجدد: روش پراکندگی برای میکروسکوپ دروازه اسکن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
We present a perturbative approach to the conductance change caused by a weakly invasive scattering potential in a two-dimensional electron gas. The resulting expressions are used to investigate the relationship between the conductance change measured in scanning gate microscopy as a function of the position of a scattering tip and local electronic quantities like the current density. We use a semiclassical approach to treat the case of a strong hard-wall scatterer in a half-plane facing a reflectionless channel. The resulting conductance change is consistent with the numerically calculated quantum conductance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 82, August 2016, Pages 286–292
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 82, August 2016, Pages 286–292
نویسندگان
Rodolfo A. Jalabert, Dietmar Weinmann,