کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1544225 1512889 2014 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Geometry-induced electron doping in periodic semiconductor nanostructures
ترجمه فارسی عنوان
دوپینگ الکترونی ناشی از هندسه در نانوساختارهای نیمه هادی دوره ای
کلمات کلیدی
نانوساختارها، سیستم های چند لایه، دوپینگ همجنسگرایی، تناسب اندام،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش مقاله
دوپینگ الکترونی ناشی از هندسه در نانوساختارهای نیمه هادی دوره ای
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 60, June 2014, Pages 4-10
نویسندگان
,