کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1544505 | 1512890 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The IâV characteristics of a graphene tunnel diode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Graphene is a 2D carbon allotrope in which electrons behave as massless Dirac fermions in a (1+2)-D relativistic space-time near the so-called Dirac points of the Brillouin zone of a honeycomb lattice, rendering very unusual electronic properties. Here, the physics of a graphene tunnel diode is explored. The p-n configuration can be achieved by means of graphene doping. The transfer Hamiltonian method, incorporating the main features of relativistic tunneling of Dirac massless fermions in graphene permits the prediction of the IâV characteristics for graphene tunnel junctions in distinct configurations, and, in particular, the graphene diode.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 59, May 2014, Pages 1-5
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 59, May 2014, Pages 1-5
نویسندگان
Miguel Saldaña Jimenez, C.A. Dartora,