کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1544698 1512895 2013 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The Si, Ge, Sn, Pb doped (6,3) Chiral single-walled carbon nanotubes: A computational study
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The Si, Ge, Sn, Pb doped (6,3) Chiral single-walled carbon nanotubes: A computational study
چکیده انگلیسی
Electronic structure properties including bond lengths, bond angles, dipole moments (μ), energies, band gaps, NMR parameters of the isotropic and anisotropic chemical shielding parameters for the sites of various atoms were calculated using the density functional theory for Si, Ge, Sn, Pb doped (6,3) Chiral single-walled carbon nanotubes (SWCNTs). The calculations indicated that average bond lengths were as: Pb3C>Sn3C>Ge3C>Si3C>C3C. The dipole moments for Si, Ge, Sn, Pb doped (6,3) Chiral single-walled carbon nanotubes structures show fairly large changes with respect to the pristine model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 54, December 2013, Pages 226-232
نویسندگان
, ,