کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1545363 | 997591 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Polarizabilities of shallow donors in inverse V-shaped quantum wells under laser field
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effect of the high-frequency laser field on the subband structure and on polarizabilities of the shallow donors in a GaAs/GaAlAs inverse V-shaped quantum well for different Al concentrations at the structure center is investigated. Calculations are performed in the effective-mass approximation. It is shown that the polarizability decreases with the increasing of the laser intensity and this effect is stronger for high Al concentration at the well center. Our results are in agreement with previous calculations for square and graded quantum wells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 5, March 2009, Pages 856–860
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 5, March 2009, Pages 856–860
نویسندگان
L.M. Burileanu, E.C. Niculescu, N. Eseanu, A. Radu,