کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1545778 997602 2010 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation process of graphene on SiC (0 0 0 1)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Formation process of graphene on SiC (0 0 0 1)
چکیده انگلیسی

High-resolution transmission electron microscopy has revealed the formation process of graphene layers on SiC (0 0 0 1). Initially, nucleation occurs at SiC steps, covering them with a few layers of graphene. These curved graphene layers stand almost perpendicularly on the lower terrace. Graphene subsequently grows over the terrace region. The growth is often pinned by lattice defects of the SiC substrate.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 4, February 2010, Pages 691–694
نویسندگان
, ,