کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546035 | 997606 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Cyclotron-resonance line splitting in heavily doped p-type GaAs heterojunctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, we report on submillimeter magneto-absorption studies of heavily doped (1Â 0Â 0) AlGaAs/GaAs heterojunctions. We found that the CR spectra consist of two branches with cyclotron-resonance effective masses of m=0.18mo and 0.373mo. These values are close to those predicted theoretically, and can be ascribed to the inversion asymmetry-induced spin splitting. In addition, we observed anticrossing features in the CR spectra. We discuss a possible origin of such CR line behavior as a coupling of light and heavy holes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 2, December 2008, Pages 224-227
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 41, Issue 2, December 2008, Pages 224-227
نویسندگان
Yuri B. Vasilyev, Nikolai G. Kalugin,