کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546165 | 997610 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band gap widening of nanocrystalline nickel oxide thin films via phosphorus doping
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Band gap widening of nanocrystalline nickel oxide thin films via phosphorus doping Band gap widening of nanocrystalline nickel oxide thin films via phosphorus doping](/preview/png/1546165.png)
چکیده انگلیسی
Phosphorus doped nanocrystalline NiO thin films were synthesized using radio frequency magnetron sputtering of a prefabricated target on glass and silicon substrates in argon atmosphere. X-ray diffraction studies confirmed the good crystallinity and proper phase formation. Phosphorus doping in NiO films was confirmed from the binding energy determination by X-ray photoelectron spectroscopic studies. Morphological information was obtained from the atomic force microscopic measurement. Determination of band gaps from the UV–vis–NIR spectrophotometric measurement showed that it increased from 3.66 to 3.81 eV corresponding to undoped and 10% P doped NiO thin films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 5, March 2010, Pages 1377–1382
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 5, March 2010, Pages 1377–1382
نویسندگان
N.S. Das, B. Saha, R. Thapa, G.C. Das, K.K. Chattopadhyay,