کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546177 | 997610 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Magnetoresistance of InMnAs magnetic semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the magnetotransport properties of an InMnAs magnetic semiconductor thin film over the temperature range of 19–61 K. A small negative magnetoresistance is observed that becomes positive with increasing field. We find that the magnetoresistance of these films is well described by a semi-empirical model that takes into account the third order p–d exchange Hamiltonian describing the negative contribution and a two-band model for the positive contribution. The negative magnetoresistance of the film originates from spin-dependent scattering of carriers by localized magnetic moments while the positive magnetoresistance is attributed to conduction via spin-split hybridized p–d sub-bands with different conductivities and mobilities.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 5, March 2010, Pages 1447–1450
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 5, March 2010, Pages 1447–1450
نویسندگان
J.A. Peters, B.W. Wessels,