کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1546198 | 997610 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of interdiffusion on impurity states in quantum dots of spherical symmetry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effect of interdiffusion of Al and Ga atoms on the binding energy of the hydrogen-like shallow donor impurity in spherically symmetric GaAs/Ga1−xAlxAs quantum dot is investigated. The dependence of the binding energy on the diffusion length, as well as on dot radius and impurity position are obtained. It is shown that the dependence of the binding energy on the diffusion length has non-monotonic behavior in both the cases of on- and off-center impurity and can be significantly different for varied values of the dot radius and the distance of impurity from the dot center.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 5, March 2010, Pages 1567–1570
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 5, March 2010, Pages 1567–1570
نویسندگان
V.L. Aziz Aghchegala, V.N. Mughnetsyan, A.A. Kirakosyan,