| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 1546921 | 997626 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Persistent infrared photoconductivity in InAs/GaAs structures with quantum dot layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Persistent lateral infra-red photoconductivity has been observed and investigated in InAs/GaAs layers with quantum dots (QD) in the temperature range 4.2
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 39, Issue 1, July 2007, Pages 1–7
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 39, Issue 1, July 2007, Pages 1–7
نویسندگان
V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, V.A. Rogozin, B.N. Zvonkov, Z. Dashevsky, V.A. Casian,