کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547012 | 997627 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical detection of zero-field spin precession of high mobility two-dimensional electron gas in a gated GaAs/AlGaAs quantum well
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigated the effective magnetic field induced by spin–orbit interaction in a gated modulation-doped GaAs/AlGaAs quantum well (QW) structure. We measured the precession of the optically injected electron spins at zero magnetic field by a time-resolved Kerr rotation (TRKR) technique as a function of the gate voltage Vg. The Vg-dependence of the effective magnetic field extracted from the TRKR data was quantitatively analyzed by considering both Rashba and Dresselhaus spin–orbit interaction in a Monte Carlo simulation. With the Dresselhaus spin–orbit coupling parameter γ and the scattering time as fitting parameters, we reproduced the experimental TRKR data, from which we estimated γ∼13 eV Å3.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 10, September 2010, Pages 2698–2701
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 42, Issue 10, September 2010, Pages 2698–2701
نویسندگان
T. Takahashi, S. Matsuzaka, Y. Ohno, H. Ohno,