کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547263 | 997631 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Coherent magnetoresistance of an interacting quantum dot
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The coherent tunnel magnetoresistance is studied in a double junction system using spin-dependent Anderson model. It is found that in contrast to the sequential tunneling description, the tunnel magneto resistance (TMR) significantly decreases in coherent tunneling regime. Remarkably, it is showed that the I-V characteristics and TMR are not sensitive to the intradot spin-flip transition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 31, Issue 1, January 2006, Pages 78-82
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 31, Issue 1, January 2006, Pages 78-82
نویسندگان
Ping Zhang,