کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1547263 997631 2006 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Coherent magnetoresistance of an interacting quantum dot
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Coherent magnetoresistance of an interacting quantum dot
چکیده انگلیسی
The coherent tunnel magnetoresistance is studied in a double junction system using spin-dependent Anderson model. It is found that in contrast to the sequential tunneling description, the tunnel magneto resistance (TMR) significantly decreases in coherent tunneling regime. Remarkably, it is showed that the I-V characteristics and TMR are not sensitive to the intradot spin-flip transition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 31, Issue 1, January 2006, Pages 78-82
نویسندگان
,