کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547535 | 1512909 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Integer quantum Hall effect in a PbTe quantum well
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Transport measurements have been carried out on a 10Â nm n-type PbTe/Pb0.9Eu0.1Te quantum well at millikelvin temperatures. The Hall and longitudinal resistances are measured in a Van der Pauw geometry under high magnetic fields up to 23Â T. A robust signature of the integer quantum Hall effect is observed without any sign of parasitic parallel conduction. The unconventional sequence of filling factors associated with the integer quantum Hall effect is discussed in terms of the occupancy of multiple valleys.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 34, Issues 1â2, August 2006, Pages 124-127
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 34, Issues 1â2, August 2006, Pages 124-127
نویسندگان
V.A. Chitta, W. Desrat, D.K. Maude, B.A. Piot, N.F. Jr., P.H.O. Rappl, A.Y. Ueta, E. Abramof,