کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1547535 1512909 2006 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Integer quantum Hall effect in a PbTe quantum well
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Integer quantum Hall effect in a PbTe quantum well
چکیده انگلیسی
Transport measurements have been carried out on a 10 nm n-type PbTe/Pb0.9Eu0.1Te quantum well at millikelvin temperatures. The Hall and longitudinal resistances are measured in a Van der Pauw geometry under high magnetic fields up to 23 T. A robust signature of the integer quantum Hall effect is observed without any sign of parasitic parallel conduction. The unconventional sequence of filling factors associated with the integer quantum Hall effect is discussed in terms of the occupancy of multiple valleys.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 34, Issues 1–2, August 2006, Pages 124-127
نویسندگان
, , , , , , , ,