کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1547661 1512907 2007 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator double-barrier nanostructure using cooperative vapor-solid-phase epitaxy
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator double-barrier nanostructure using cooperative vapor-solid-phase epitaxy
چکیده انگلیسی
Single-crystalline double-barrier Gd2O3/Si/Gd2O3 nanostructures on Si(1 1 1) were prepared using molecular beam epitaxy. Ultra-thin single-crystalline Si buried in a single-crystalline insulator matrix with sharp interfaces was obtained by a novel approach based on an epitaxial encapsulated solid-phase epitaxy. The I-V characteristic of the obtained nanostructures exhibited resonant tunneling at low temperatures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 38, Issues 1–2, April 2007, Pages 6-10
نویسندگان
, , , ,