کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547661 | 1512907 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator double-barrier nanostructure using cooperative vapor-solid-phase epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator double-barrier nanostructure using cooperative vapor-solid-phase epitaxy Fabrication of single-crystalline insulator/Si/insulator double-barrier nanostructure using cooperative vapor-solid-phase epitaxy](/preview/png/1547661.png)
چکیده انگلیسی
Single-crystalline double-barrier Gd2O3/Si/Gd2O3 nanostructures on Si(1Â 1Â 1) were prepared using molecular beam epitaxy. Ultra-thin single-crystalline Si buried in a single-crystalline insulator matrix with sharp interfaces was obtained by a novel approach based on an epitaxial encapsulated solid-phase epitaxy. The I-V characteristic of the obtained nanostructures exhibited resonant tunneling at low temperatures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 38, Issues 1â2, April 2007, Pages 6-10
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 38, Issues 1â2, April 2007, Pages 6-10
نویسندگان
H.J. Osten, D. Kuehne, E. Bugiel, A. Fissel,