کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547729 | 997642 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Near UV photoluminescence of Hg-doped GaN nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Near UV photoluminescence of Hg-doped GaN nanowires Near UV photoluminescence of Hg-doped GaN nanowires](/preview/png/1547729.png)
چکیده انگلیسی
Mass Hg-doped GaN nanowires with an average diameter of about 25Â nm and lengths up to hundreds of micrometers are fabricated by chemical vapor reaction. The as-synthesized products have a single crystal phase and grow along the ã0Â 0Â 1ã direction. The growth of Hg-doped GaN nanowires is suggested for quasi vapor-solid mechanism (QVSM). In particular, for as large-scale GaN nanowires like films, a novel strong near ultraviolet PL spectrum appears with a doping Hg where the Hg-doped GaN nanowires are found to be responsible for the different characteristics; the PL mechanism is explained in detail.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 33, Issue 2, July 2006, Pages 394-397
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 33, Issue 2, July 2006, Pages 394-397
نویسندگان
Shao-Min Zhou,