کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547847 | 997646 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of conduction band non-parabolicity on the donor states in GaAs–(Al,Ga)As spherical quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The binding energy of a shallow, hydrogenic on-centre impurity in a GaAs–AlxGa1−xAs quantum dot is calculated using the standard variational technique. The effect of band non-parabolicity is considered using the Luttinger–Kohn ‘effective mass’ equation. The electronic energy level and the donor binding energy are computed as a function of the dot size, both in the presence and in absence of the band non-parabolicity effect. Results indicate noticeable differences in two cases, especially for small dots.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 33, Issue 1, June 2006, Pages 116–119
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 33, Issue 1, June 2006, Pages 116–119
نویسندگان
C. Bose, K. Midya, M.K. Bose,