کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1549178 | 997807 | 2010 | 38 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
InP-based photonic circuits: Comparison of monolithic integration techniques
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A review is given of techniques to integrate passive and active, optical and optoelectronic, functions within one photonic circuit. Different platforms have been developed to realize these circuits in a planar geometry on an indium phosphide substrate. The physical background of these techniques will be described and an evaluation will be given regarding their strong and weak points. An in-depth treatment will be given of two of the integration techniques, which have not yet been thoroughly described in literature: a polarization-based integration scheme (POLIS) and an active–passive regrowth technique. Finally, an outlook on the future of the different photonic integration techniques is presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Progress in Quantum Electronics - Volume 34, Issue 4, July 2010, Pages 135–172
Journal: Progress in Quantum Electronics - Volume 34, Issue 4, July 2010, Pages 135–172
نویسندگان
J.J.G.M. van der Tol, Y.S. Oei, U. Khalique, R. Nötzel, M.K. Smit,