کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1552521 | 1513204 | 2016 | 13 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical model of LDMOS with a single step buried oxide layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Analytical model of LDMOS with a single step buried oxide layer Analytical model of LDMOS with a single step buried oxide layer](/preview/png/1552521.png)
چکیده انگلیسی
The established analytical models will provide the physical and mathematical basis for further analysis of the new power devices with the patterned buried oxide layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 97, September 2016, Pages 358-370
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 97, September 2016, Pages 358-370
نویسندگان
Song Yuan, Baoxing Duan, Zhen Cao, Haijun Guo, Yintang Yang,