کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1553000 | 1513216 | 2015 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Energy and binding energy of donor impurity in quantum dot with Gaussian confinement
ترجمه فارسی عنوان
انرژی و انرژی اتصال دهنده ناخالصی دهنده در نقطه کوانتومی با محدوده گاوس
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
Using the method of the shifted 1/N expansion, we investigate the problem of hydrogenic-like donor impurity, located at the center of a spherical semiconductor quantum dot. We have calculated the energy eigenvalues for both ground and first excited sates under the assumption of Gaussian confining potential. The binding energies for three dimensional (3D) and two dimensional (2D) quantum dots are calculated. We show their dependence on dimensionality, dot radius and potential confinement. Our present numerical results show quantitative and qualitative very good agreement with those results obtained by diagonalization, Numerov's integration, and Hartree-Fock methods.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 85, September 2015, Pages 216-225
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 85, September 2015, Pages 216-225
نویسندگان
I. Al-Hayek, A.S. Sandouqa,