کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1553547 | 1513226 | 2014 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Realization of reliable p-type ZnO thin films by nitrogen implantation using plasma immersion ion implantation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Plasma immersion ion implantation was used to dope nitrogen in ZnO thin films to achieve p-type films. The doped samples were subsequently annealed at temperatures between 700 °C and 1000 °C. A strong A°X peak around 3.35 eV was detected in the photoluminescence spectra for samples annealed at high temperatures. The p-ZnO films were stable after 9 months and were reproducible. The current-voltage relationship for a p-n heterojunction diode exhibited rectifying behavior with a built-in voltage of 1.6 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 75, November 2014, Pages 9-16
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 75, November 2014, Pages 9-16
نویسندگان
S. Nagar, S. Chakrabarti,