کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1553797 998755 2012 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic and structural properties of ZnxCd1−xSySe1−y alloys lattice matched to GaAs and InP: An EPM study
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electronic and structural properties of ZnxCd1−xSySe1−y alloys lattice matched to GaAs and InP: An EPM study
چکیده انگلیسی
► The empirical pseudopotential calculations predict direct bandgap in ZnxCd1−xSySe1−y alloys. ► Bandgap of all possible compositions of ZnxCd1−xSySe1−y system are reported. ► The alloys lattice matched to GaAs have bandgap within 2.7-2.9 eV compared to 1.52 eV for GaAs. ► The alloys lattice matched to InP have bandgap within 2.1-2.3 eV compared to 1.34 eV for InP. ► The ZnxCd1−xSySe1−y/InP and ZnxCd1−xSySe1−y/GaAs alloys are more ionic than InP and GaAs, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 51, Issue 5, May 2012, Pages 635-643
نویسندگان
, , ,