کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1553797 | 998755 | 2012 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic and structural properties of ZnxCd1âxSySe1ây alloys lattice matched to GaAs and InP: An EPM study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The empirical pseudopotential calculations predict direct bandgap in ZnxCd1âxSySe1ây alloys. ⺠Bandgap of all possible compositions of ZnxCd1âxSySe1ây system are reported. ⺠The alloys lattice matched to GaAs have bandgap within 2.7-2.9 eV compared to 1.52 eV for GaAs. ⺠The alloys lattice matched to InP have bandgap within 2.1-2.3 eV compared to 1.34 eV for InP. ⺠The ZnxCd1âxSySe1ây/InP and ZnxCd1âxSySe1ây/GaAs alloys are more ionic than InP and GaAs, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 51, Issue 5, May 2012, Pages 635-643
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 51, Issue 5, May 2012, Pages 635-643
نویسندگان
U. Paliwal, R.K. Kothari, K.B. Joshi,