کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554041 | 998766 | 2012 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Calculation of on-state I-V characteristics of LDMOSFETs based on an accurate LDD resistance modeling
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Modeling the LDD of LDMOSFET as voltage-controlled resistors. ⺠Presenting an I-V model for LDMOSFETs based on the modeling of the LDD. ⺠Model accuracy verification for wide ranges of voltages and device parameters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 52, Issue 3, September 2012, Pages 560-576
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 52, Issue 3, September 2012, Pages 560-576
نویسندگان
Behrouz Afzal, Behzad Ebrahimi, Ali Afzali-Kusha, Saeed Mohammadi,