کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1554041 998766 2012 17 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Calculation of on-state I-V characteristics of LDMOSFETs based on an accurate LDD resistance modeling
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Calculation of on-state I-V characteristics of LDMOSFETs based on an accurate LDD resistance modeling
چکیده انگلیسی
► Modeling the LDD of LDMOSFET as voltage-controlled resistors. ► Presenting an I-V model for LDMOSFETs based on the modeling of the LDD. ► Model accuracy verification for wide ranges of voltages and device parameters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 52, Issue 3, September 2012, Pages 560-576
نویسندگان
, , , ,