کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554323 | 1513250 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ion beam assisted processes for Pt nanoelectrode fabrication onto 1-D nanostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present morphological and electrical characterizations of thin and narrow resistors obtained by focused ion beam assisted deposition of Pt based material.For thin and narrow depositions the measured thickness and width are significantly different from the nominal values. From leakage tests we found that in order to have electrically insulated parallel resistors at room temperature, it is mandatory that the Pt-halo, which results from the deposition procedure, has a thickness well below 6 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 46, Issues 1–2, July–August 2009, Pages 149–152
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 46, Issues 1–2, July–August 2009, Pages 149–152
نویسندگان
A. Notargiacomo, L. Di Gaspare, F. Evangelisti,