کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554350 | 1513250 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on carrier trapping and emission processes in InAs/GaAs self-assembled quantum dots by varying filling pulse width during DLTS measurements
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The carrier trapping and emission processes of InAs self-assembled quantum dots (QDs) on GaAs substrates were measured and analyzed using capacitance–voltage techniques and deep-level transient spectroscopy (DLTS). We used different applied biases and filling pulse widths. This allowed the determination of the activation energies of defect/electronic states of the QDs within a range of 0.08–0.59 eV. These values represent the energy levels of the QDs with respect to the host matrix, showing that QDs have band-like interacting energy levels and that DLTS signals are largely affected by the electron density of states of QDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 46, Issues 1–2, July–August 2009, Pages 312–317
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 46, Issues 1–2, July–August 2009, Pages 312–317
نویسندگان
Jin Soak Kim, Eun Kyu Kim, Jun Oh Kim, Sang Jun Lee, Sam Kyu Noh,