کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554427 | 998786 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhanced ESD properties of GaN-based light-emitting diodes with various MOS capacitor designs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
High electrostatic discharge (ESD) protection of GaN-based light-emitting diodes (LEDs) has been developed using a metal–oxide semiconductor (MOS) capacitor. This structure is realized by adopting various metal electrode patterns. The MOS capacitor can be implemented by extending the metal line directly from the p-type electrode to the top surface of an SiO2-capped n-GaN layer near the vicinity of the n-type electrode. By connecting a MOS capacitor in parallel with the GaN-based LED, the negative ESD strike could be significantly increased from 385 to 1075 V of human body mode (HBM).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 48, Issue 1, July 2010, Pages 23–30
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 48, Issue 1, July 2010, Pages 23–30
نویسندگان
P.C. Tsai, W.R. Chen, Y.K. Su,