کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554556 | 998794 | 2011 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tunnelling current in Schottky diodes containing InAs quantum dots
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Tunnelling current in Schottky diodes containing InAs quantum dots Tunnelling current in Schottky diodes containing InAs quantum dots](/preview/png/1554556.png)
چکیده انگلیسی
⺠Transport mechanism in Schottky diode containing InAs quantum dots is investigated. ⺠Field emission was observed at low temperature and low voltages bias region. ⺠The ideality factor was found to follow the T0-effect. ⺠The decrease of the effective barrier height with measurement temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 50, Issue 2, August 2011, Pages 164-172
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 50, Issue 2, August 2011, Pages 164-172
نویسندگان
N. Hamdaoui, R. Ajjel, B. Salem, M. Gendry,