کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554936 | 998815 | 2008 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical and electronic properties of (GaAs)n / (InAs)n(001) superlattices: LMTO-ASA approach
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The optical and electronic properties of (GaAs)n/(InAs)n superlattices are calculated by means of LMTO-ASA method. The too small band gap problem of bulk material and superlattices is corrected by adding to the effective potentials an additional external potential that is sharply peaked at the atomic sites. The results show that the optical properties of GaAs/InAs(001) superlattices are about average of that of two bulks of GaAs and InAs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 43, Issue 1, January 2008, Pages 53-62
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 43, Issue 1, January 2008, Pages 53-62
نویسندگان
Kaihang Li, Junlin Zhang,