کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554960 | 1513255 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures Blue emission from InGaN/GaN hexagonal pyramid structures](/preview/png/1554960.png)
چکیده انگلیسی
Cathodoluminescence (CL) from InGaN grown on GaN hexagonal pyramid structures has been investigated. The facet structure can be controlled by the growth temperature and reactor pressure. GaN pyramid structures surrounded with {101̄1} facets were grown at 1020 ∘C at a pressure of 500 Torr by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy (LP-MOVPE). The indium mole fraction in the InGaN film depends on the facet structure. The thickness of the InGaN and the peak wavelength and intensity of the CL from the InGaN gradually increased from the bottom to the top of the facets.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 41, Issues 5–6, May–June 2007, Pages 341–346
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 41, Issues 5–6, May–June 2007, Pages 341–346
نویسندگان
Hideto Miyake, Keisuke Nakao, Kazumasa Hiramatsu,