کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1555118 | 1513254 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Arsenic-related recombination in MOVPE-grown ZnO/GaAs films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Arsenic-related recombination in MOVPE-grown ZnO/GaAs films Arsenic-related recombination in MOVPE-grown ZnO/GaAs films](/preview/png/1555118.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, ZnO films grown by metalorganic vapour phase epitaxy on various substrates (GaAs, silicon, sapphire) and using different VI /II ratios, are investigated by photoluminescence (PL) spectroscopy. The PL spectra of layers grown on GaAs show significant recombination at 3.320Â eV, 3.305Â eV and â¼3.270Â eV. These energies are remarkably similar to what have been reported for hybrid beam deposited ZnO:As [Y.R. Ryu, T.S. Lee, H.W. White, Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 87] and arsenic-implanted ZnO crystals [T.S. Jeong, M.S. Han, C.J. Youn, Y.S. Park, J. Appl. Phys. 96 (2004) 175], and the lines are ascribed to the incorporation of arsenic, which diffuses from the substrate into the films. Two acceptor levels are deduced at â¼120Â meV and at â¼140-150Â meV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 42, Issues 1â6, JulyâDecember 2007, Pages 26-32
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 42, Issues 1â6, JulyâDecember 2007, Pages 26-32
نویسندگان
J.R. Botha, K.T. Roro, C. Weichsel, A.W.R. Leitch, J. Weber,