کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1555259 1513257 2006 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Carrier diffusion processes near threading dislocations in GaN and GaN:Si characterized by low voltage cathodoluminescence
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Carrier diffusion processes near threading dislocations in GaN and GaN:Si characterized by low voltage cathodoluminescence
چکیده انگلیسی

We present a low temperature study of GaN epilayers by means of low voltage cathodoluminescence (CL). We show that lowering the primary electrons accelerating voltage down to 1 kV allows imaging of single threading dislocations. By using monochromatic or panchromatic low voltage CL microscopy, it is possible to extract different diffusion lengths related to free excitons, bound excitons or donor-to-acceptor pair transitions.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 40, Issues 4–6, October–December 2006, Pages 557–561
نویسندگان
, , , ,