کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1555259 | 1513257 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Carrier diffusion processes near threading dislocations in GaN and GaN:Si characterized by low voltage cathodoluminescence
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present a low temperature study of GaN epilayers by means of low voltage cathodoluminescence (CL). We show that lowering the primary electrons accelerating voltage down to 1 kV allows imaging of single threading dislocations. By using monochromatic or panchromatic low voltage CL microscopy, it is possible to extract different diffusion lengths related to free excitons, bound excitons or donor-to-acceptor pair transitions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 40, Issues 4–6, October–December 2006, Pages 557–561
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 40, Issues 4–6, October–December 2006, Pages 557–561
نویسندگان
N. Pauc, M.R. Phillips, V. Aimez, D. Drouin,