کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1555279 | 998839 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural characterization of AlGaN/GaN superlattices by x-ray diffraction and Rutherford backscattering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report on structural characterization of AlGaN/GaN superlattices grown on sapphire. The superlattice formation is evidenced by high-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy. The high resolution x-ray diffraction spectra exhibit a pattern of satellite peaks. The in-plane lattice constants of the superlattices indicate the coherent growth of the AlGaN layer onto GaN. The average Al composition in the superlattices is determined to be 0.08 by Rutherford backscattering spectroscopy. The average parallel and perpendicular elastic strains for the SLs are determined to be ãeâ¥ã=+0.25% and ãeâ¥ã=â0.17%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 40, Issue 3, September 2006, Pages 137-143
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 40, Issue 3, September 2006, Pages 137-143
نویسندگان
Shengqiang Zhou, M.F. Wu, S.D. Yao, B.S. Zhang, H. Yang,