کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1790121 | 1524415 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of hydrogen during growth of quantum barriers on the properties of InGaN quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
InGaN/GaN multiple quantum well structures were grown on bulk GaN and on sapphire substrates using the metalorganic vapor-phase epitaxy in order to study the influence of hydrogen during the growth of the GaN barriers. This hydrogen flow had the following effects on the structures: (i) the thickness of the QWs was reduced, (ii) the indium concentration in the QWs was decreased and (iii) the growth rate of the quantum barriers was increased.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 414, 15 March 2015, Pages 38-41
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 414, 15 March 2015, Pages 38-41
نویسندگان
Robert Czernecki, Ewa Grzanka, Julita Smalc-Koziorowska, Szymon Grzanka, Dario Schiavon, Grzegorz Targowski, Jerzy Plesiewicz, Pawel Prystawko, Tadeusz Suski, Piotr Perlin, Mike Leszczynski,