کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1790830 | 1524451 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MBE fabrication of III-N-based laser diodes and its development to industrial system
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠True-blue InAlGaN laser diodes by plasma assisted molecular beam epitaxy. ⺠LDs operate at 450 - 460 nm in cw mode with optical output power up to 80 mW. ⺠The role of active nitrogen for growth of InGaN is investigated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 378, 1 September 2013, Pages 278-282
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 378, 1 September 2013, Pages 278-282
نویسندگان
C. Skierbiszewski, M. Siekacz, H. Turski, G. Muziol, M. Sawicka, P. Perlin, Z.R. Wasilewski, S. Porowski,