کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791835 | 1023622 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The deviation from a stoichiometry and the amphoteric behaviour of Ga in PbTe/Si films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: The deviation from a stoichiometry and the amphoteric behaviour of Ga in PbTe/Si films The deviation from a stoichiometry and the amphoteric behaviour of Ga in PbTe/Si films](/preview/png/1791835.png)
چکیده انگلیسی
⺠The electrical activity of Ga impurity in PbTe depends upon the doping technique. ⺠The electrical activity of Ga impurity depends upon the deviation from stoichiometry δ in PbTe. ⺠At T=77 K the IR sensitivity of PbTeãGaã increases in 500 times in comparison with undoped PbTe. ⺠The heterogeneous (PbTe+GaTe), (PbTe+GaTe+Ga2Te3) samples have the best IR sensitivity. ⺠The model to explain the complicated amphoteric behaviour of Ga atoms in PbTe.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 351, Issue 1, 15 July 2012, Pages 149-154
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 351, Issue 1, 15 July 2012, Pages 149-154
نویسندگان
A.M. Samoylov, S.V. Belenko, M.K. Sharov, E.A. Dolgopolova, V.P. Zlomanov,