کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1791835 1023622 2012 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The deviation from a stoichiometry and the amphoteric behaviour of Ga in PbTe/Si films
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The deviation from a stoichiometry and the amphoteric behaviour of Ga in PbTe/Si films
چکیده انگلیسی
► The electrical activity of Ga impurity in PbTe depends upon the doping technique. ► The electrical activity of Ga impurity depends upon the deviation from stoichiometry δ in PbTe. ► At T=77 K the IR sensitivity of PbTe〈Ga〉 increases in 500 times in comparison with undoped PbTe. ► The heterogeneous (PbTe+GaTe), (PbTe+GaTe+Ga2Te3) samples have the best IR sensitivity. ► The model to explain the complicated amphoteric behaviour of Ga atoms in PbTe.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 351, Issue 1, 15 July 2012, Pages 149-154
نویسندگان
, , , , ,