کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792086 | 1524476 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Vertically arrayed Ga-doped ZnO nanorods grown by magnetron sputtering: The effect of Ga contents and microstructural evaluation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Vertically aligned ZnO:Ga nanorods were grown on sapphire substrates without buffer layers by magnetron sputtering. Preferential growth along the c-axis, resulting in the formation of nanorod arrays without buffer layers. ⺠Increased stress stored in the ZnO:Ga layers generated a high density of stacking faults. ⺠Sample doped with a high Ga amount had rotated crystal phases, resulting in rough sidewalls.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 330, Issue 1, 1 September 2011, Pages 17-21
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 330, Issue 1, 1 September 2011, Pages 17-21
نویسندگان
Young Yi Kim, Bo Hyun Kong, Hyung Koun Cho,