کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1792106 1023633 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defects in Ge epitaxy in trench patterned SiO2 on Si and Ge substrates
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Defects in Ge epitaxy in trench patterned SiO2 on Si and Ge substrates
چکیده انگلیسی
► We study Ge epitaxy within trench-patterned SiO2 templates on Si and Ge substrates. ► We study the relationship between SiO2 template geometry and twin defect morphology. ► Finite element modeling of thermal stress and its role in dislocation nucleation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 335, Issue 1, 15 November 2011, Pages 62-65
نویسندگان
, , ,