کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792106 | 1023633 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defects in Ge epitaxy in trench patterned SiO2 on Si and Ge substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Defects in Ge epitaxy in trench patterned SiO2 on Si and Ge substrates Defects in Ge epitaxy in trench patterned SiO2 on Si and Ge substrates](/preview/png/1792106.png)
چکیده انگلیسی
⺠We study Ge epitaxy within trench-patterned SiO2 templates on Si and Ge substrates. ⺠We study the relationship between SiO2 template geometry and twin defect morphology. ⺠Finite element modeling of thermal stress and its role in dislocation nucleation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 335, Issue 1, 15 November 2011, Pages 62-65
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 335, Issue 1, 15 November 2011, Pages 62-65
نویسندگان
Darin Leonhardt, Swapnadip Ghosh, Sang M. Han,