کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1792706 1023655 2011 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Germanium doping for improved silicon substrates and devices
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Germanium doping for improved silicon substrates and devices
چکیده انگلیسی
In the present paper the effect of germanium doping in the range between 1016 and 1019 cm−3 on COP formation and oxygen precipitation is discussed and illustrated. Also the beneficial effect of germanium doping with respect to wafer breakage during processing, with respect to the suppression of thermal donor formation and with respect to improving device radiation hardness is addressed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 317, Issue 1, 15 February 2011, Pages 8-15
نویسندگان
, , , , , , , , ,