کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1792706 | 1023655 | 2011 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Germanium doping for improved silicon substrates and devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In the present paper the effect of germanium doping in the range between 1016 and 1019Â cmâ3 on COP formation and oxygen precipitation is discussed and illustrated. Also the beneficial effect of germanium doping with respect to wafer breakage during processing, with respect to the suppression of thermal donor formation and with respect to improving device radiation hardness is addressed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 317, Issue 1, 15 February 2011, Pages 8-15
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 317, Issue 1, 15 February 2011, Pages 8-15
نویسندگان
J. Vanhellemont, J. Chen, J. Lauwaert, H. Vrielinck, W. Xu, D. Yang, J.M. RafÃ, H. Ohyama, E. Simoen,