کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1793564 | 1023679 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of ferromagnetic δδ-phase manganese gallium on semiconducting scandium nitride (0 0 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Epitaxial growth of ferromagnetic δδ-phase manganese gallium on semiconducting scandium nitride (0 0 1) Epitaxial growth of ferromagnetic δδ-phase manganese gallium on semiconducting scandium nitride (0 0 1)](/preview/png/1793564.png)
چکیده انگلیسی
Ferromagnetic δδ-phase manganese gallium layers with Mn/(Mn+Ga)=60%Mn/(Mn+Ga)=60% have been successfully grown on ScN(0 0 1) by molecular beam epitaxy, expanding possibilities for ferromagnetic layers on nitride semiconductors. The in-plane epitaxial relationship of manganese gallium with respect to scandium nitride is determined to be [100]MnGa//[110]ScN and [110]MnGa//[100]ScN. Vibrating sample magnetometry measurements indicate out-of-plane magnetization of the film, suggesting strong magnetic anisotropy along the manganese gallium cc-axis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 8, 1 April 2009, Pages 2265–2268
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 311, Issue 8, 1 April 2009, Pages 2265–2268
نویسندگان
Kangkang Wang, Abhijit Chinchore, Wenzhi Lin, David C. Ingram, Arthur R. Smith, Adam J. Hauser, Fengyuan Yang,