کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794063 | 1023689 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular beam epitaxy of highly antimony doped germanium on silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Molecular beam epitaxy of highly antimony doped germanium on silicon Molecular beam epitaxy of highly antimony doped germanium on silicon](/preview/png/1794063.png)
چکیده انگلیسی
We investigated the antimony incorporation in germanium at high concentration regime above the maximum equilibrium solid solubility of 1.2×1019 cm−3. As growth method molecular beam epitaxy at temperatures between 160 and 330 °C was used. Electrical active Sb incorporation up to 2×1020 cm−3 was obtained. At higher chemical Sb concentrations up to 6×1020 cm−3 only a fraction of the dopants is electrically active at room temperatures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 21, 15 October 2008, Pages 4531–4534
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issue 21, 15 October 2008, Pages 4531–4534
نویسندگان
M. Oehme, J. Werner, E. Kasper,